假设我们正在研究具有典型时序参数（感兴趣的参数列在下面）的 DRAM，其读写延迟约为 20-50 纳秒。如何更改时序参数以增加 DRAM 的读写延迟？具体来说，假设我们希望读写延迟约为 1 微秒。我必须使用的参数如下（如果其他参数很重要但未列出，请提及它们；任何不重要或没有意义的参数都可以忽略）：
* tCCD = CAS to CAS command delay (always = half of burst length)
* tRRD = Row active to row active delay
* tRCD = RAW to CAS delay
* tRAS = Row active time
* tRP = Row precharge time
* tRC = Row cycle time
* CL = CAS latency
* WL = Write latency
* tWTR = Write to read delay
我之所以问这个问题，是因为我想做一个小型模拟，研究不同内存访问延迟对各种内存访问模式的程序性能的影响。我对内存硬件的了解非常有限；考虑到上述参数，我认为单次访问的内存延迟应该是 tRAS + CL（用于选择行/列）加上 WL？如果这些不是常见的时序参数，我真的很抱歉。提前致谢！
编辑：
想想看，如果我有一组时序参数 p1、p2、...、pN，并且已知读/写延迟 X，我是否可以通过取 p1' = (Y/X)p1、p2' = (Y/X)p2、...、pN' = (Y/X)pN 来获得一组新的参数 p1'、p2'、...、pN'，以获得所需的读/写延迟 Y > X？似乎我应该这样做，因为如果读/写延迟是底层 DRAM 时序参数的某种线性组合，我应该能够简单地缩放参数并在派生数量中获得等效缩放……对吗？