我有一块金士顿 SSDNow V+ 64GB SSD，我知道写入/擦除 NAND 会如何磨损闪存。
这是因为写入/擦除 NAND 会损坏浮栅周围的氧化层，随着时间的推移，这会导致电子被捕获，电子会被困在氧化层本身中。这会导致单元的 0 和 1 状态之间的差异逐渐消失。处理这个问题会降低性能。参考
可以通过在细胞的相反方向施加更大的电压来“重置”这一点，以去除阻塞细胞的电子。
是否有任何软件方法可以帮助我让 SSD 将电压施加到 NAND？
答案1
我的问题是：是否有软件黑客可以启用上述功能？
是的，它叫修剪，并且在大多数现代操作系统的大多数 SSD 上默认启用。
由于问题经过编辑变得更加有效，并且内容略有变化，我在此提供更新的答案。
没有办法“重置”电池来移除被困在氧化层中的电子。一旦电子被“捕获”，它们就会卡在氧化层中（通常是二氧化硅）降低了其绝缘性能。超过一定阈值后，每个闪存单元都无法与其 0 或 1 状态区分开来，该单元则被视为“坏单元”。
TRIM 是一种减少维护驱动器上的文件系统所需的读/写周期的技术，驱动器控制器固件中的磨损均衡算法也是如此。大多数 SSD 也过度配置，因此您的 120 GB 驱动器实际上有几 GB 的额外空间，当出现坏单元时，这些空间会被换入。
答案2
SSD 非常独立，不向任何外部提供对 NAND 的访问权限。因此无法通过软件向单元施加任意电压。
再说一遍，你所说的是 SSD 在正常运行过程中经常做的事情。擦除单元时，你需要在写入时施加电压的相反一侧施加强电压。
从我读过的文献来看，释放氧化层中电子的最佳方法是静止和温度。如果你让阵列保持原样，不进行读取、写入或擦除，氧化层（和浮栅）中的电子会随着时间的推移而泄漏。热量会加速这一过程。这就是为什么使用频率不高的 SSD 的使用寿命会远远超过额定值的原因。