每位电子工程师都知道，在同一线路上连接更多芯片会增加其电容，从而降低频率。因此，内存速度必须取决于通道中的芯片数量。在这种情况下，DDR 内存制造商如何在没有此信息的情况下将其设备标记为 DDR3-1333 MHz？每个通道的芯片数量是否有限制，或者假设每个通道只有一个模块？
除此之外，如果多通道架构中存在容量不平衡怎么办？这是我的 MB 制造商 X58A-UD3R 的建议，使用 4 个模块实现 3 通道模式。
我可以使用 4GB+2GB+2GB 吗（假设时序相同）？性能影响是什么？英特尔控制器表示需要使用交错模式来获得 3 个通道的增益。当存在这种容量不平衡时，交错会发生什么？
如果将不同时序的模块组合在一起会怎么样？我应该选择最差的公分母吗？
换句话说，我想知道 DIMM 规格与环境有何关系？DIMM 规格与其应工作的环境有何关系？
最初发布于http://www.tomshardware.co.uk/answers/id-1651405/miltiple-sticks-single-channel.html
答案1
我发现成群结队和非成群结队多渠道。在 Henessy & Patterson 中我们读到（他们从哪里得到这些信息？）：
i7 具有三个 64 位内存通道，可以充当一个 192 位通道，因为只有一个内存控制器，并且两个通道上都发送相同的地址
也就是说，Intel Core i7 处理器似乎是“成组”的。因此，只有同时读取 3 个匹配的 dimm 时，我才会加速。同时，AMD 提供真正独立的通道，即非成组通道，这提供了更多的组合自由和性能。使用 AMD 处理器可以更随机地访问随机存取存储器！
尽管如此，如果我在第一个通道中添加一个 DIMM，则没有任何迹象表明控制器会在并行 3 通道模式下停止访问 3 个现有的并行棒。
编辑我刚刚又添加了一个 DIMM 棒，如图所示，CPU-Z 和 BIOS 都显示我仍有 3 个通道。它们没有显示控制器是在 1 通道模式还是 2 通道模式运行。唯一的问题是时间从 7-7-7 减少到 8-8-8在第一个通道中。但这是电容问题，而不是内存访问模式，后者似乎保持不变。