Intel RS3UC080(LSI3008) + 三星 Evo 840 = 写入性能缓慢？

Question

与我的 Z87 主板相比，我的写入性能相当慢。有人知道这些结果是否是英特尔 RS3UC080 的预期结果吗，或者如果存在问题，可能是什么问题？

以下是我用来进行测试的硬件/软件。RS3UC080 和 SSD 的最新固件更新已安装。

控制器：Intel RS3UC080（LSI3008）
主板：华硕 Hero VI（Z87 芯片组）
CPU：4770K @ 4,5 GHz
内存：16GB @ 2,4GHz
背板：HP DL360 G6
SSD：4x Samsung Evo 840 120GB（Raid-0）

基准测试工具：AS SSD Benchmark 1.8.5611.39791 和 1.7.4739.38088
操作系统：Windows XP 8.1 x64

我使用相同的硬件运行测试，一次使用 Intel RS3UC080，使用 DL360 G6 的背板，一次没有使用，而是将驱动器直接连接到主板。

Intel RS3UC080 上的 RAID 阵列是通过启动期间显示的设置实用程序创建的。

我刚刚注意到，截取一张截图时，AS SSD 设置为德语。以下是翻译。

lesen = 读取
schreiben = 写入
zugriffszeit = 访问时间

Answer 1

我不了解这个控制器，但您是否尝试过禁用控制器缓存以允许操作系统直接访问磁盘？这里有一个类似的线程，涉及 SSD 磁盘和 LSI 控制器。

您能提供控制器配置选项的屏幕截图吗？

Answer 2

问题在于 21nm TLC 闪存导致的原始比特错误率呈指数级增长...ECC 试图将其隐藏起来不让消费者发现，但 SSD CPU 产生的额外热量会导致其过热和减速。（特别是如果它确实读取 - 修改 - 写入）。

http://techreport.com/review/27727/some-840-evos-still-vulnerable-to-read-speed-slowdowns

如果可以的话，尽量避免使用低于 25nm 的 TLC 驱动器（就像瘟疫一样）。使用三星 850 pro 或类似产品，搭配 MLC 或 SLC 3D NAND。最好采用 35nm+ 工艺节点制造。（带电面积越大，可以容纳的电子越多，保留时间越长）。

确保 raid 驱动程序支持 TRIM。

将条带大小设置为闪存擦除块大小。

在 NTFS 上使用 64K 簇。

确保设置了 noatime 并执行所有推荐的 SSD 优化。