我曾经接触过闪存文件系统，但并不理解一个重要的术语“写入放大”。维基百科页面，我不明白以下信息：
重写某些数据需要读取、更新和写入闪存中已使用的部分，同时如果新位置之前在某个时间点使用过，则需要先擦除该位置；由于闪存的工作方式，必须擦除和重写的闪存部分比新数据量实际需要的要多得多。这种乘数效应增加了 SSD 使用寿命内所需的写入次数，从而缩短了其可靠运行的时间。
我的问题是：
为什么更新后的数据被写入新位置而不是旧位置（最初读取数据的位置）？
所谓的倍增效应在哪里发生？能不能解释得更全面一些？
答案1
首先：写入放大并不是Flash独有的属性，而是所有块设备都会发生的。
这是块设备被称为设备的原因之一block：数据以部分（“块”）的形式写入，通常由 512 字节到 4 千字节组成。这导致了一种情况，要更改块设备上的单个字节，我们需要先读取块的其余部分（此步骤通常是无操作，因为操作系统缓冲区通常至少是块大小），然后更改内存中的一个字节，然后将整个块写入设备：要更改一个字节，我们必须写入一个完整的块，通常是数千个字节。
这种早已为人所知的机制对于 SSD 来说具有特殊意义，因为它们
- 通常具有较大的块大小
- 只能承受有限数量的写入，比旋转磁盘少几个数量级。
如果 4K 块大小的 SSD 的使用模式是每个块更改 1 个字节，则写入的总字节数将是有效负载字节数的 4096 倍，即write amplification4096 的倍数。这意味着，典型耐用性为 10 年的 SSD 将在不到一天的时间内超出该耐用性极限。
针对此问题的对策有很多种：
- 最重要的是：这种使用模式非常罕见
- 支持 SSD 的操作系统（和/或控制器）尝试以一种避免放大的方式安排写入。
- 许多现代 SSD 使用 DRAM 缓存来累积对同一块的小写入，并且仅在已满或尽可能晚时才将其写入闪存。超导体在断电时提供完成此操作的电力。
至于问题的第一部分：虽然旋转磁盘在物理层和逻辑层上都有读写操作，但闪存上的物理操作是erase和program。read这意味着，逻辑写入被转换为program对空（已擦除）块的写入。现代 SSD 控制器会保留已擦除块的清单，并使用这些块尽快满足逻辑写入。如果当前带宽需求或控制器负载很高，则可以将现在未使用的单元的擦除操作推迟到以后。因此，实际上使用不同的块只不过是一种性能调整机制，尽管它非常重要。