3D NAND 与 TLC/MLC/QLC 有何关系?

3D NAND 与 TLC/MLC/QLC 有何关系?

我想买一个 SSD,但我不知道该怎么做3D NAND(这是目前最新和最好的)与 MLC、TLC 和 QLC 有关吗?

有没有像3D NAND TLC 还是 3D NAND QLC?或者这个 3D NAND 与这些完全分开?

答案1

3D NAND指的是芯片内存单元的布局,而MLC、TLC和QLC指的是每个单元的技术。

例如,英特尔 SSD D5-P4326 中的 NAND 闪存被称为 3D QLC。QLC 或四级单元技术是指每个存储单元能够在 15 种不同的阈值电压下保存四位数据。3D 是指存储单元的构建方式。

以前,电池并排排列在硅基板上。随着新光刻工艺的出现,电池密度增加,更多的电池可以放在一个平面上。但随着沿 x 轴和 y 轴缩放变得越来越困难,制造商开始沿 z 轴垂直排列它们。

以 64 层高的闪存设备为例,3D NAND 可实现平面内存 64 倍的单元密度。添加 QLC 技术后,64 倍变为 256 倍。这样,SSD D5-P4326 中使用的英特尔 64 层 3D NAND 可以实现每片 1Tb 的密度,从而实现相同尺寸的更高容量 SSD。

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