抱歉，我不知道在哪里问这个问题比较合适。 Meta 告诉我在这里提问是安全的在SuperUser.com上：
今晚，我正在阅读 Seagate FireCuda 530 M.2 NVMe SSD 的评论这里
（请不要将此问题解读为 Tom's Hardware 或 Seagate 的托儿！）
500GB型号说明：
- 随机读取 400,000 IOPS；随机写入 700,000 IOPS
1TB型号表示：
- 随机读取 800,000 IOPS；随机写入 1,000,000 IOPS
2＆4TB型号表示：
- 随机读取 1,000,000 IOPS；随机写入 1,000,000 IOPS
这些事实也出现在制造商的数据表
令人惊讶的是，在更深层次的评论中第 2 页， 它说：
希捷的 4TB FireCuda 530 在随机读取工作负载期间表现出色，与三星 980 Pro 匹敌，并且在 QD 为 1 时响应速度比 WD_Black SN850 更快。我们将工作负载调高到 QD 为 256，FireCuda 530 的最大随机读/写 IOPS 约为 825,000 / 1,555,000。
（当我以每秒 1.5M 的写入 IOPS 的速度读取时，我的大脑很痛，因为我是在使用 5.25 英寸软盘的“计算时代”来的！）
问题：
- 写入 IOPS 为何比读取 IOPS 更高？我的假设是：写入总是比读取更昂贵。为什么？写入验证/确认。或者写入 IOPS 是否比读取 IOPS 少 KB？如果硬件使用大量写入缓存，这在电源循环之间是否也会持续存在？
- 为什么以下型号之间的写入和读取 IOPS 比率会发生变化：(a) 500GB、(b) 1TB 和 (c) 2 和 4TB？
最后，我在其他 M.2 NVMe SSD 中也看到了同样的趋势。
答案1
答案是写入缓存，在 SDRAM、SLC 或两者中。NVMe 控制器可以在数据收到后但写入其最终 NAND 位置之前立即将写入 I/O 的完成情况发布到主机。对于读取，NVMe 控制器必须将数据从 NAND 传送到主机，这涉及在 NAND 映射表中查找块（在这些非常高的 IOP 级别下相对耗时），然后从 NAND 传输数据。