如何配置 Xeon 56xx CPU 周围的内存？每 CPU 3 个通道的 2P 配置
如何填充 DIMM 插槽以实现最佳内存性能？需要填充的插槽数最少是多少？
双通道，双列等等？
答案1
对于 5600，最大性能来自每个通道填充一个 DIMM 并将 DIMM 均匀分布在 CPU 之间。因此，在您的情况下，每个 CPU 有 3 个 DIMM。这也意味着每个通道一个 DIMM（例如插槽 1、4 和 7，从最靠近 CPU 的插槽开始）
答案2
事实上，看起来并没有那么简单：
只有高性能部件 X56xx 可以达到 6.4 GT/s、1333 MHz，并且必须通过通道上的第二个 dimm 切换到 5.8 GT/s。所有其他部件（E56xx、L56xx）的最大上限为 5.8 GT/s，最多 1066 MHz，因此它们无论如何都不会通过第二个 dimm 切换。因此，只有 X56xx 会因每个通道的第二个 dimm 而产生带宽损失。（只要没有我不知道的交错损失。）看看硅力学信息， 第2页。
你可能想看看英特尔® 至强® 处理器 5600 系列数据表第 2 卷，第 57 页及以下英特尔® 至强® 处理器 5500 系列数据表第 2 卷（125 ff）它建立在。此外，您可能还想看看硅力学信息，其中有一个很好的表格和插图在第2、5和6页或xeon 5600适用服务器手册，第 26 页及后续页面，在 HP。
答案3
哦，您可能想要避免使用 4 列 (四列 (“qr”) dimm，而应该使用 1 (单) 列 (“sr”) 或 2 (双) 列 (“dr”) dimm。
如果执行大量连续内存 IO，则使用单列内存；如果执行大量随机内存 IO，则使用 2/4 列内存
任何使用 4 列 dimm 的情况似乎都会将 CPU 限制在 1066 MHz 以内，在大多数情况下为 800 MHz。至少第 58 页的 3.2 ff 表英特尔® 至强® 处理器 5600 系列数据表第 2 卷据我所知这么说。
请查看或询问系统构建者以确保。