DRAM 芯片排列非常紧密。研究表明，相邻的位可以随机翻转。
- 在具有 ECC 的服务器级 DRAM 芯片中随机触发错误的可能性有多大（CMU-Intel 论文例如，对于一个未知芯片，一年内发生一次故障的概率为 9.4x10^-14？
- 在购买内存之前如何知道该错误是否已修复？
- 我应该怎么做才能应对恶意尝试在 CentOS 7 等平台上，如何由租户或者非特权用户提升权限？
参考：
答案1
您引用的 CMU-Intel 论文（第 5 页）显示，错误率在很大程度上取决于 DRAM 模块的零件编号/制造日期，并且相差 10-1000 倍。还有一些迹象表明，最近（2014 年）制造的芯片中这个问题不太明显。
您引用的数字“9.4x10^-14”是在称为“PARA”的拟议理论缓解机制的背景下使用的（可能类似于现有的缓解机制 pTRR（伪目标行刷新）），并且与您的问题无关，因为 PARA 与 ECC 无关。
第二篇 CMU-Intel 论文（第 10 页）提到了不同的 ECC 算法对减少错误的影响（10^2 到 10^5 倍，通过复杂的内存测试和“保护带”可能会更多）。
ECC 有效地将 Row Hammer 漏洞转变为 DOS 攻击。1bit 错误将由 ECC 纠正，并且一旦检测到不可纠正的 2bit 错误，系统将停止（假设 SECDED ECC）。
解决方案是购买支持 pTRR 或 TRR 的硬件。请参阅思科最新博客文章，介绍 Row Hammer至少有些制造商似乎在其 DRAM 模块中内置了其中一种缓解机制，但将其深深隐藏在规格中。要回答您的问题：请询问供应商。
更快的刷新率（32ms 而不是 64ms）和积极的 Patrol Scrub 间隔也有帮助，但会对性能产生影响。但我不知道有任何服务器硬件实际上允许微调这些参数。
我想，除了终止那些 CPU 使用率持续居高不下且缓存未命中率高的可疑进程之外，在操作系统方面你能做的事情并不多。
答案2
情况似乎仍然不太明朗，所以我认为你的问题无法直接回答，但这里有一些相对较新的信息作为部分答案。如需了解新闻，请关注rowhammer 讨论邮件列表。
我不确定目前是否有可能通过公开信息避免购买易受攻击的 RAM，也无法轻松预测现有硬件的故障率。制造商尚未公开其产品如何受到影响的信息。可以使用软件工具测试已购买的内存，但您应该知道，长时间（数小时）运行这些工具可能会永久降低 RAM 的性能并导致运行软件出现故障。
据报道，“未具名的内存公司”试图行贿作为回报，Passmark Software 没有在其 Memtest86 工具中发布 Rowhammer 测试。
据报道，英特尔 Skylake 硬件更加脆弱，而不是更少，因为增加了一条新clflushopt指令。这已被利用在 rowhammer.js 中
Daniel Gruss 在这里回答了一些关于 2015 年 12 月缓解的问题（合著者rowhammer.js 论文）在这次演讲中：
- 虽然一些 ECC RAM 比非 ECC RAM 更不容易受到 Rowhammer 攻击，但其他 ECC RAM 比非 ECC RAM 更容易受到 Rowhammer 攻击（视频中的问题链接）
- 切换到更快的刷新率足以防止大多数（但不是所有）硬件出现 Rowhammer 现象 - 但并非所有 BIOS 都允许更改刷新率（视频中的问题链接）。
作为一种对策，可能可以检测到正在进行的 Rowhammer 攻击，但我不知道是否已经这样做了。