我对 RAM 速度、延迟和传输速率有点困惑。
据我目前所知，RAM 是根据其时钟速度和延迟来评级的。有几种不同的延迟测量方法（4 个数字组成的字符串，例如 5-5-5-18），但唯一真正重要的数字是最后一个，它测量两个“随机”内存区域之间的数据访问之间的总体延迟（如果我错了，请纠正我）。
我的问题是：
您如何计算实际的 RAM 延迟（即以纳秒为单位）。是将 tRAS 除以 RAM 时钟速度，还是将 tRAS 除以处理器速度（这听起来不对，处理器不应该那样影响 RAM 访问），还是完全不同的东西？
另外，双通道和三通道如何影响 RAM 延迟（据我所知，它不会影响，只会影响带宽）以及它究竟是如何工作的？它基本上就像硬盘驱动器的 RAID 条带化一样吗？
最后，读写速度之间有区别吗？写入是否需要更长时间？如果是，这如何反映在延迟时间中？或者即使如此。
谢谢
—假冒
答案1
4 个数字组成的字符串，例如 5-5-5-18
内存时序通过一系列数字指定：
2-3-2-6-T1
3-4-4-8
2-2-2-5
这些数字表示内存执行某项操作所需的时钟周期数。数字越小，内存速度越快。
CL-tRCD-tRP-tRAS-CMD
- CL：CAS 延迟. 命令发送到内存和开始回复之间的时间。这是处理器从内存请求数据到返回数据之间的时间。
- tRCD：RAS 到 CAS 延迟. 矩阵中存储数据的行（RAS）和列（CAS）激活之间所需的时间。
- tRP：RAS 预充电. 禁止访问一行数据和开始访问另一行数据之间所花费的时间。
- 转运RAS激活至预充电延迟**。内存需要等待多长时间才能启动下一次内存访问。
- CMD：命令速率。从激活内存芯片到发送第一个命令所需的时间。有时不提供此值。通常是 T1（1 个时钟周期）或 T2（2 个时钟周期）。
CAS 延迟可以说是最重要的数字。CL = 3 的内存将延迟三个时钟周期来传输数据；CL = 5 的内存将延迟五个时钟周期来执行相同操作。
每个时钟周期的周期可以计算：
T = 1 / f
假设您的 DDR2-533 内存运行速度为 533 MHz（实际时钟为 266 MHz），这意味着时钟周期为 3.75 ns。如果此 DDR2-533 内存的 CL=5，则在传输数据之前会延迟 18.75 ns，如果 CL=3，则延迟 11.25 ns。
请记住，内存还实现了突发模式，因此如果下一个请求的数据地址与第一个地址是连续的，则获取“下一个”数据不会有任何延迟。
它基本上就像是使用 RAID 对硬盘进行条带化一样吗？
是的，我相信。双通道和三通道（内存必须成对或三组安装）与带宽有关。