什么是“低 RDS(on) MOSFET”？

Question

我的 Gigabyte GA-MA790XT-UD4P 主板标有Lower RDS(on) MOSFET。我很好奇这到底意味着什么。

Answer 1

Rds（ds 应该是下标）表示“电阻（漏极至源极）”，漏极是电流流向的地方，源极是电流来自的地方。

MOSFET 通常被用作功率晶体管的更好替代品，并用于大电流开关应用。

具有较低的 Rds 基本上意味着根据欧姆定律，MOSFET 中损失的功率更少，并且通过说他们的 MOSFET 是低 Rds，他们基本上是说他们的电路板更节能，因此将产生较少的热量（作为 MOSFET 的副产品）。

Rds(on) 基本上只是表示当 MOSFET 处于“开启”状态时，Rds 较低。在关闭状态下，MOSFET 将不导通，因此您不必关心电阻。

一个小细节...

MOSFET（即金属氧化物半导体场效应晶体管）最简单的用途是直接替代功率晶体管和继电器开关。MOSFET 的符号与晶体管有些相似，但有一个间隙，以说明栅极与晶体管的其他部分之间没有直接连接，因此场效应晶体管。

场效应晶体管：

由于栅极与器件的电流路径（源极到漏极）有效隔离，这使得它对于更高的电流更有用，因为流到栅极的泄漏要少得多，从而大大提高了器件的功率效率。

每维基百科：

MOSFET 用于数字开关的一大优势是栅极和通道之间的氧化层可防止直流电流流过栅极，从而进一步降低功耗并提供非常大的输入阻抗。栅极和通道之间的绝缘氧化物有效地将一个逻辑级中的 MOSFET 与前后级隔离开来，这使得单个 MOSFET 输出能够驱动相当数量的 MOSFET 输入。基于双极晶体管的逻辑（例如 TTL）没有如此高的扇出容量。

由于 MOSFET 的结构，即使完全激活（饱和），源极和漏极之间仍存在电阻，并且该电阻会导致部分流过器件的电流被浪费，从而产生热量。降低该电阻可减少浪费的电量，从而减少 MOSFET 产生的热量。

与晶体管相比，MOSFET 效率很高，低 Rds MOSFET 可提高电源效率。