SSD - Corsair Force 系列 3 和 Force 系列 GT 之间的区别

Question 1

TLDR：不同类型的驱动器使用不同类型的 NAND。Force GT 应该比 Force 3 更快，但 Force GS 应该更快。不过，很难说您会注意到多大的差异。

整合其他答案中的信息，似乎这三种略有不同的型号使用了非常细微不同的 NAND 闪存类型，从而略微提高了性能。

Model       Seq. R/W(MB/s)      Random 4k Write     NAND Type
Force 3     550/520             85K IOPS            Asynchronous NAND
Force GT    555/525             85K IOPS            Synchronous NAND
Force GS    555/525             90K IOPS            Toggle NAND

基准测试三种类型的闪存似乎表明与上述相同，异步闪存最慢，同步闪存较好，而 Toggle 模式 NAND 最好。

异步和同步 NAND 之间的区别似乎是控制器和 NAND 芯片之间的带宽有所提高，硬OCP：

两种闪存类型均采用 25nm 芯片封装尺寸。技术术语是光网络2.x（同步）和 ONFi 1.0（异步）。ONFi 2.x 使用中央定时电路，在信号波的上升和下降时移动数据。这类似于双倍数据速率随机存取存储器 (DDR RAM)。ONFi 2.0 能够提供高达 133MB/s 的速度，但 ONFi 1.0 仅限于 50MB/s。从理论上讲，一个比另一个快两倍，但由于整个 SSD 架构，实际收益要小得多。

“最大读/写”速度规范似乎是基于理论性能数据，而真实世界的基准测试显示同步 NAND 的速度比异步 NAND 有显著的提高。

Toggle NAND 是处理 NAND 闪存的另一种新方法，应该能够再次提高同步 NAND 的速度，东芝

东芝提供全系列 32nm DDR Toggle-Mode NAND，MLC 版本密度为 64Gb1、128Gb 和 256Gb，SLC 版本密度为 32Gb、64Gb 和 128Gb。Toggle-Mode NAND 是一种 DDR NAND 解决方案，旨在通过消除同步 DDR 存储器中通常使用的时钟信号来降低功耗，使其比同步 DDR NAND 闪存更省电。

东芝 DDR Toggle-Mode 1.0 NAND 具有快速接口，额定速度为 133 兆传输/秒 (MT/s)，而传统 SLC 单数据速率 NAN 的额定速度为 40MT/s。这使其适用于高性能固态存储应用，包括企业存储。Toggle-Mode DDR Flash NAND 具有与传统 NAND 中使用的异步接口类似的异步接口，不需要时钟信号，这意味着与竞争的同步 NAND 替代品相比，它消耗的功率更少，系统设计更简单。Toggle-Mode NAND 中的 DDR 接口使用双向 DQS 来生成输入/输出信号 (I/O)，使用写入擦除信号的上升沿和下降沿。

除了技术出版物之外，每种闪光灯的实际区别以及它们如何运作似乎有点难以找到。

Answer