我正在尝试制作一个包含很多列的表格。我指定了每列的宽度。但是,列中的文本与相邻列重叠,而不是移到新行。
我该如何解决它?
参见附图:
代码如下:
\begin{table}[h]
\newcolumntype{P}[1]{>{\centering\arraybackslash}p{#1}}
\setlength\extrarowheight{5pt}
\scriptsize
\centering
\begin{tabular}{P{0.7 cm} P{0.9cm} P{1cm} P{2 cm} P{0.4cm} P{1.2cm}
P{0.4cm} P{0.8cm} P{0.5cm} P{0.9cm} }
Ref & IL & H$\kappa$ & $D_{it}$ & $C_{ox}(\mu F/cm^2)$ & Technique &
$\sigma$ & Sn & Strain & Device \\
\hline
\cite{gong2012towards} & $SiO_2/Si$ & 3.6 nm Hf$O_2$ & $1.7 \times 10^{12}$(MG) & 2.2 & CP & - & 3\% & F.S & p-FET \\
\hline
\end{tabular}
\caption{No Caption} \label{table: No label}
\end{table}
答案1
我建议您使用tabularx
环境,以确保材料适合文本块,并使用包的X
5 列或 10 列的居中版本,以便在需要时自动换行。我还建议您使用siunitx
包的宏来排版单位和数字。最后,请使用包的线条绘制宏booktabs
来获得间距合适的线条。
\documentclass{article}
\usepackage{booktabs,ragged2e}
\usepackage{siunitx}
\sisetup{tight-spacing = true, per-mode = symbol}
\usepackage{tabularx}
\newcolumntype{C}{>{\Centering\arraybackslash}X}
\begin{document}
\begin{table}
\small % \scriptsize not needed anymore
\begin{tabularx}{\textwidth}{@{} c *{5}{C} *{4}{c} @{}}
Ref & IL & H$\kappa$ & $D_{it}$ &
$C_{ox}$ (\si{\micro\farad\per\centi\meter\squared}) &
\hspace{0pt}Technique & $\sigma$ & Sn & Strain & Device \\
\midrule
\cite{gong2012towards} & $SiO_2/Si$ &
\SI{3.6}{\nano\meter} Hf$O_2$ & \num{1.7e12} (MG) &
2.2 & CP & -- & 3\% & F.S & p-FET \\
\bottomrule
\end{tabularx}
\caption{No Caption}
\label{table:NoLabel}
\end{table}
\end{document}
附录,在 OP 留下一条评论说换行符不可接受之后发布。如果换行符不可接受,并且您不愿意切换到极小的字体大小(在我看来,您无论如何都不应该这样做),剩下的主要选择就是切换到横向表格。以下示例采用了一个sidewaystable
环境,它使用了tabular*
环境而不是tabularx
环境,因为不应该发生自动文本换行。
\documentclass{article}
\usepackage{booktabs,mhchem,rotating,siunitx}
\sisetup{tight-spacing = true, per-mode = symbol}
\begin{document}
\begin{sidewaystable}
\setlength\tabcolsep{0pt} % make LaTeX figure out intercolumn whitespace
\begin{tabular*}{\textwidth}{@{\extracolsep{\fill}} l *{9}{c} }
Ref & IL & H$\kappa$ & $D_{it}$ &
$C_{ox}$ (\si{\micro\farad\per\centi\meter\squared}) &
Technique & $\sigma$ & Sn & Strain & Device \\
\midrule
\cite{gong2012towards} & \ce{SiO2}/\ce{Si} &
\SI{3.6}{\nano\meter} \ce{HfO2} & \num{1.7e12} (MG) &
2.2 & CP & -- & 3\% & F.S & p-FET \\
\bottomrule
\end{tabular*}
\caption{No Caption}
\label{table:NoLabel}
\end{sidewaystable}
\end{document}
答案2
使用您的代码并进行最少更改的解决方案:
\documentclass{article}
\usepackage{array}
\begin{document}
\begin{table}[h]
\newcolumntype{P}[1]{>{\centering\arraybackslash}p{#1}}
\setlength\extrarowheight{5pt}
\scriptsize
\centering
\begin{tabular}{P{0.7 cm} P{0.9cm} P{1cm} P{2 cm} P{1.2cm} P{1.2cm}
P{0.4cm} P{0.8cm} P{0.5cm} P{0.9cm} }
Ref & IL & H$\kappa$ & $D_{it}$ & $C_{ox}$ $(\mu F/cm^2)$ & Technique &
$\sigma$ & Sn & Strain & Device \\
\hline
\cite{gong2012towards} & $SiO_2/Si$ & 3.6 nm Hf$O_2$ & $1.7 \times 10^{12}$(MG) & 2.2 & CP & - & 3\% & F.S & p-FET \\
\hline
\end{tabular}
\caption{No Caption} \label{table: No label}
\end{table}
\end{document}
答案3
一些改进包括booktabs
(在水平规则中添加垂直填充);makecell
(允许在标准单元格中换行);siunitx
(数字/单位的格式),以及chemformula
您似乎有一些化学公式。c
列类型就足够了,无需通过错误和尝试来计算列宽,我可以使用\small
字体大小,但scriptsize
没有人会想读:
\documentclass{article}
\usepackage[showframe]{geometry}
\usepackage{array, makecell, booktabs}
\usepackage{siunitx}
\DeclareSIUnit \uF { \micro \farad }
\usepackage{chemformula}
\begin{document}
\begin{table}[h]
\newcolumntype{P}[1]{>{\centering\arraybackslash}p{#1}}
\setlength\extrarowheight{5pt}
\small% \footnotesize
\centering
\begin{tabular}{*{10}{c}}
Ref & IL & H$\kappa$ & $D_\textrm{it}$ & \makecell{$C_\textrm{ox}$\\(\si{\uF/\cm^2})} & Technique &
$\sigma$ & Sn & Strain & Device \\
\midrule
\cite{gong2012towards} & \ch{SiO2}/Si & \makecell{\SI{3.6}{nm}\\ \ch{HfO2}} & \num{1.7e12} (MG) & 2.2 & CP & --- & 3\,\% & F.S & p-FET \\
\bottomrule
\end{tabular}
\caption{No Caption} \label{table: No label1}
\end{table}
\end{document}
添加:
使用 的值,以下代码适合字体大小tabcolsep
的边距:\small
\begin{table}[!htb]
\setlength\tabcolsep{4pt}
\setlength\extrarowheight{5pt}
\small
\centering
\begin{tabular}{*{10}{c}}%{P{0.7 cm} P{0.9cm} P{1cm} P{2 cm} P{1.2cm} P{1.2cm}
% P{0.2cm} P{0.3cm} P{0.8cm} P{0.9cm} }
\toprule
Ref & IL & H$\kappa$ & \makecell[t]{$D_\textrm{it}$\\(\si{\cm^{-2}\eV^{-1}})} &
\makecell[t]{$C_\textrm{ox}$\\(\si{\uF/\cm^2})} & Technique &
$\sigma$ & Sn & Strain & Device \\
\midrule
{} [Gong12] %\cite{gong2012towards}
& \ch{SiO2}/Si & \makecell{\SI{3.6}{nm}\\
\ch{HfO2}} &\num{1.7e12}(MG) & 2.2 & CP & --- & 3\,\% & F.S & p--FET
\\ %
{} [Lee14] %\cite{lee2014epitaxial}
& \ch{SiO2} & \ch{Yb2O3} & $\sim{}$\num{4e11}(MG)
& 5 & $G_p/\omega-\omega$ & --- & 5\,\% & \SI{-0.2}{\percent} & pMOS-CAP \\ %
\bottomrule
\end{tabular}
\caption{No Caption} \label{table: No label}
\end{table}