我对 RAM 内存的两种规格、Mhz 数量和延迟时间有疑问（例如：9-9-9-24）。
哪一个对系统性能最重要？为什么？两者之间到底有什么区别？
答案1
Toms Hardware 的一篇文章很好地解释了 RAM 时序
- CAS，通常扩展为列地址选通（或有时扩展为列地址选择），指的是由动态随机存取存储器 (DRAM) 模块（本指南中的所有三种 RAM 都是其子类型）中使用的电容器列和行组成的阵列中某个物理内存位置的列。CAS 延迟通常出现在 RAM 的时序序列中的第一个位置，表示从内存控制器指示内存模块访问其当前行中的特定列到此类访问产生驻留在那里的数据之间经过的时钟周期数。
- Trcd 或 tRCD，通常扩展为 RAS 到 CAS 延迟，其中 RAS 扩展为行地址选通，其中 R 指的是由用于 DRAM 模块的列和行电容器组成的阵列中物理内存位置的行。此值指定行地址选通 (RAS) 和 CAS 之间的时钟周期数，表示内存模块的行地址到列地址的延迟。
- Trp 或 tRP，通常扩展为 RAS 预充电，表示结束对当前行内存的访问并开始访问下一行内存所需的时钟周期数，因此 tRP = 行预充电时间。
- tRAS 或 Tras，通常扩展为 RAS 访问时间，以初始数据请求和开始下一次内存访问所需的预充电命令之间访问 DRAM 中某一行数据所需的时钟周期数来衡量。根据定义，tRAS 必须大于或等于 CAS 加上 tRCD，再加上另外两个周期，以留出时间完成访问，因为它们读取或写入多个内存位，DDR（2 位）、DDR2（4 位）和 DDR3（8 位）都以更少或更大的数字完成访问。
RAM 内存时序通常以四个数字组成的序列显示，这些数字之间用破折号隔开，例如 5-5-5-15。这表示 CAS、tRCD 和 tRP 值都等于五个时钟周期，而 tRAS 值等于 15 个时钟周期。这些序列中的数字越小，内存时序就越严格。同样，数字越大，时序就越宽松。简而言之，较低的延迟成本更高，而更严格的时序成本更高，就内存而言，两者的组合成本最高。
我会选择更严格的时序，它们往往更快，166MHz 的差异甚至不会很明显。事实上，它们非常接近，你不会注意到任何速度差异。具有更高 Mhz 等级的那个可能最适合超频，因为它会给你一点空间，因为现代英特尔和所有 AMD 芯片都集成了内存控制器，所以当你提高 FSB 时，你也会超频 RAM。但同样，这都是个人喜好，取决于你将如何使用你的系统。如果你只是建立一个不打算超频的库存系统，任何一个都可以。