在查看内存时，有几个规格我不明白，希望能得到澄清。这些术语是什么意思？它们如何影响系统性能？ 请随意提供技术数据和答案，但是不特定于我作为示例列出的规格以下。
- 速度：DDR3 1600，DDR2 800
- 时间：9-9-9-24（每个数字代表什么？）
- 电压：1.5V（我知道电压是多少，但它如何影响我的系统？）
- 多通道套件：双通道、四通道
答案1
速度
这些数字以 MHz 为单位，表示 RAM 运行的时钟信号频率（DDR RAM 为 x2，因此 DDR2-800 以 400MHz 运行）。DDR 表示“双倍数据速率”，这意味着它在信号的上升沿和下降沿传输数据（而不仅仅是信号开启和关闭）。因此，例如，DDR 为您提供 800MHz 的效果，但实际上仍然只有 400MHz。DDR2 和 DDR3 是 DDR 规范的替代版本。（即：DDR3 是“双倍数据速率类型三”）。
定时
内存时序（或 RAM 时序）统称为一组四个数值参数，称为 CL、tRCD、tRP 和 tRAS，通常表示为一系列用破折号分隔的四个数字，并按相应的顺序排列（例如 5-5-5-15）。但是，省略 tRAS 或添加第五个值（命令速率）并不罕见（来自维基百科）。
CL（CAS 延迟）
CAS 延迟是以时钟周期为单位，发送 READ 命令和输出端出现第一个数据之间的延迟。
左心室收缩功能
行地址到列地址延迟 - tRCD 是发出活动命令和读/写命令之间所经过的时钟周期数。在此期间，内部行信号稳定到足以让电荷传感器对其进行放大。
血清素
行预充电时间 - tRP 是发出预充电命令和激活命令之间的时钟周期数。在此期间，感测放大器充电，并激活存储体。
转运RAS
行活动时间 - tRAS 是银行活动命令和发出预充电命令之间所用的时钟周期数。
看点击此处了解更多信息关于这些和其他 RAM 时序元素。
电压
列出的电压是为 RAM 模块供电所需的最小/推荐电压。电压不足则无法为模块供电，电压过高则可能损坏模块上的各种芯片。
多通道套件
这些“套件”只是多个单个、相似（尽可能相同）的 RAM 模块包装在一起。目前，其目的是将它们用于具有双通道和三通道（等等）RAM 通道功能的主板。例如：由于您需要 2 个内存条才能实现双通道，并且这在不久前成为新系统的标准/常规（在三通道、四通道等之前），内存制造商开始将其现有的“套件”作为“多通道套件”进行营销。
以前出售套件的主要目的是在购买多个模块时给予一点价格折扣（即：'2GB 套件'中的两个 1GB 模块比购买两个同一型号的单独 1GB 模块更便宜）。
答案2
速度：
第一部分是内存类型。DDR2 是双倍数据速率 2。第二部分是内存运行的速度（MHz），一般来说，速度越快越好（在一定程度上）
定时：
这些数字是不同内存操作之间必须发生的等待周期数。数字越低越好（更深入）。
电压：
内存工作的电压。在大多数情况下，这只是参考，但有些系统需要特定电压的内存。例如，新的 Intel core I 芯片需要的电压（1.5v irc）比旧的 Core 2 芯片要低。
多通道：
内存以单个模块（条）或多通道内存主板套件的形式出售。大多数当前主板都采用双通道，而英特尔插槽 1336 则采用三通道。包装所做的一切就是确保您获得两个完全相同的内存模块（相同的速度、时序和大小），这是多通道 RAM 所必需的。