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RAM 时序：READ 命令中的 CAS 延迟是否与 WRITE 命令相同？

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RAM 时序：READ 命令中的 CAS 延迟是否与 WRITE 命令相同？

据我所知，根据维基百科有关 CAS 延迟的介绍：

CL 是内存控制器告诉内存模块访问 RAM 模块上的特定内存列，与给定阵列位置的数据在模块的输出插针。

因此上面的定义是关于读从内存控制器和 RAM 模块发送的命令在其输出数据上返回存储的数据。但是写命令？CAS 延迟是否相同？或者写入的内存时序与读取的内存时序完全不同？

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