有人知道西部数据蓝色 SATA SSD（型号 WDS200T2B0A 或 WDS200T2B0B）的写入页面大小吗？
我联系了 WD 支持人员，他们声称是 512B，但我在现代 SSD 上看到的大多数信息都表明这不太可能。（也就是说，虽然驱动器控制器可以仿真写入单独的 512B 扇区时，硬件实际上无法写入小于一页的内容，该页面可能为 4KiB 或更多。）
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...当然我问的是不同的设备，所以那些不是重复的。
（¹“页面”是可以在一次写入操作中写入的最小数据块。）
编辑：
西部数据的官方答复是：“很抱歉，您正在寻找的信息属于专有信息，客户无法使用。”
根据一个来源，NAND 芯片应该是“SanDisk BiCS FLASH 64 层 TLC”，但我也找不到任何关于它的规格...而且，当然，WD 有一个“移除后保修失效”的贴纸隐藏了芯片，所以你无法从芯片上得到数字。
答案1
（¹“页面”是可以在一次写入操作中写入的最小数据块。）
根据此定义，现代 SSD 中有多种不同的“页面大小”：
写入原始闪存的最小大小。这可能小到一个位 - 但只能对每个位进行单独编程（设置为 0），而不能擦除（设置为 1）。
原始闪存中擦除块的大小。这相当大；在现代闪存设备中，它通常是几兆字节。值得注意的是，这通常是不是2 的幂，因为它包含用于纠错的额外位。
闪存转换层实现的纠错块的大小。我暂时不知道它们有多大——它们可能介于转换层的块大小和整个擦除块之间。
由闪存转换层实现的块大小。为了与常见操作系统兼容，该值通常为 512 或 4096 字节。
其中最后一个大小可能与您作为最终用户相关，并且您已经被告知它是 512B。
答案2
您可以根据您的 SSD 的 NAND 类型找到制造商发布的论文，例如：
- 三星 QLC（16KB）：
- Kim, Doo-Hyun 等人。“13.1 A 1Tb 4b/cell NAND 闪存，t PROG= 2ms，tR= 110µs，高速 IO 速率为 1.2 Gb/s。”2020 年 IEEE 国际固态电路会议 (ISSCC)。IEEE，2020 年。
- 三星薄层电容（16KB）：
- Kim, Chulbum 等人。“512 GB 3-b/cell 64 堆叠 wl 3-d-nand 闪存。”IEEE 固态电路杂志 53.1 (2017)：124-133。
- 英特尔 QLC（16KB）：
- Khakifirooz, Ali 等人。“30.2 A 1Tb 4b/Cell 144 层浮栅 3D-NAND 闪存，程序吞吐量为 40MB/s，位密度为 13.8 Gb/mm 2。”2021 年 IEEE 国际固态电路会议 (ISSCC)。第 64 卷。IEEE，2021 年。
或者可以做一些测试这个问题可以提供帮助。我测试了我的 WD SN850，发现页面大小为 32KB：
