我最近了解到（或者被骗了）SSD 磁盘实际上忘记只要一年没有通电，手机上的所有数据就会丢失。
假设这是真的，而且我已经花了足够多的时间来试图揭穿它，那么我的 USB 记忆棒、EverDrives 中的存储卡，甚至我 1990 年代的索尼 PlayStation 存储卡，为什么在每隔几年开机一次的情况下还能保存数据呢？
网上的说法似乎都不是事实。SSD 一定使用了其他技术，其性能更快，但代价是没有存档价值？
我希望有一个清晰、正确的表格，显示所有当前存储介质技术以及它们在关机状态下的使用寿命和其他类似数据。像我搜索的其他所有内容一样，它不可能找到。
答案1
虽然闪存在断电时确实具有有限的数据保留期，但并没有“一年保留期”这样的神奇数字。这一切都取决于许多因素：工作温度、存储温度、整体磨损、单级或多级单元（SLC/MLC/TLC...）、光刻尺寸（10nm/7nm...），...
USB 钥匙和 SSD 驱动器都使用闪存，但级别不同。SSD 旨在实现高性能，这需要例如薄光刻技术，而薄光刻技术也意味着较短的保留期。
https://www.anandtech.com/show/9248/the-truth-about-ssd-data-retention
答案2
这是一个真正的问题，但并不像你描绘的那样单一，一年可能有些夸张。我无法理解你找不到有关此事的信息，我找到了很多，例如http://www.cs.cmu.edu/~yixinluo/index_files/data-retention_fms15.pdf。
查找“NAND 闪存数据保留”，您应该能够找到更多。
值得一提的是，我主要使用所谓的芯片方法从 USB 闪存驱动器和存储卡中恢复数据，并且一般来说，这些设备上使用的 NAND 的质量低于 SSD 驱动器中使用的 NAND。
我曾恢复过放在抽屉里几年的 USB 闪存驱动器，使用 DeepSpar 数据恢复硬件等基本上无法读取。通常这是一连串的读取错误，但通常闪存驱动器的控制器只是挂起，无法处理大量错误，甚至更糟的是固件本身已损坏，主要是因为它“泄露了数据”：它与用户数据存储在同一个 NAND 上。
但是，除了放在抽屉里之外，该设备没有发生其他变化。
让我粗略地解释一下这如何说明数据泄露事件。
这些设备通常质量较差，但并非总是如此。每个 NAND 设备在断电时都会随着时间的推移而泄漏数据。使用专门的 NAND 读取器 + 软件，有时可以使用所谓的 RR 或读取重试寄存器来提高恢复质量。简单地说，NAND 单元是 1 还是 0，取决于单元内的电荷水平（当然，对于 MLC 等来说并非如此，为了保持简单）。随着电子逃逸，电荷也会下降，直到低于决定 1 或 0 的阈值。使用 RR 寄存器，我们可以说服 NAND 修改阈值，换句话说，接受较小的电荷来表示 1 而不是 0。
这其实是一种对抗数据泄露现象的方法，让我们能够从这种NAND芯片中恢复数据。当然，我们的“伎俩”也会有失效的时候。
