晶体管不一致锚点

晶体管不一致锚点

nmos和晶体管的源极pmos和漏极锚点位置不同(对于nmos,漏极在顶部,源极在底部;对于pmos,源极在顶部,漏极在底部)。这是为什么呢?

\begin{circuitikz}
    \draw (0,0) node[nmos](n){}
    (n.gate) node[anchor=east]{G}
    (n.drain) node[anchor=south]{D}
    (n.source) node[anchor=north]{S}
    %
    (3,0) node[pmos](p){}
    (p.gate) node[anchor=east]{G}
    (p.drain) node[anchor=north]{D}
    (p.source) node[anchor=south]{S};
\end{circuitikz}

在此处输入图片描述

答案1

因为这反映了最常见的用法,其中通道 p 的源连接到正(上)轨,然后向下有一个通道 n,其源连接到接地轨。

NPN 和 PNP 晶体管也有同样的情况。

这基本上是很多年前做出的设计选择,从某种程度上来说是任意的,但它太古老了,基本上就像是一成不变的。

附录针对版本 0.6 (2016-06-06),变更日志中有一条通知: 在此处输入图片描述

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