我们在 SDHC 上的一个文件中存储了一个计数器。计数器由 12 个字节组成。计数器值通过以下代码定期更新：
int fd = open( m_path, O_CREAT | O_TRUNC | O_WRONLY, 0 );
write( fd, (char*)m_count, (1 + m_maxId) * sizeof( ULONG ) );
close( fd );
我的问题是：假设 SDHC 支持内部磨损均衡，在这种情况下会应用它吗？或者我是否需要实际删除文件并打开一个新文件才能实现这一点？
我担心由于同一个文件被重复使用，也许相同的物理位置被一遍又一遍地写入。
答案1
我担心由于同一个文件被重复使用，也许相同的物理位置被一遍又一遍地写入。
嗯，这正是磨损均衡的全部意义所在。
到达存储卡后，所有操作都要经过“闪存转换层”，该层会自行决定数据的存储位置；其工作是在逻辑块地址（由操作系统发布）和物理位置（在闪存上）之间进行转换。
这就是磨损均衡发生的地方——FTL 确保即使操作系统请求写入相同的逻辑块，它们也会映射到不同的物理位置。
答案2
补充另一个答案：闪存的工作方式有点不同......它实际上不允许随机写入。
NAND 闪存只允许一位从 1 翻转为 0。要将其翻转为其他方式（从 0 翻转为 1），您需要擦除整个页- NAND 的一部分通常为 4 kiB 或更大（我在微控制器的内部 NAND 中看到过 128 kiB 的页面）。
最简单的做法是将整个页面加载到 RAM 中，更改要更改的位，擦除页面，然后再次写入。除了增加磨损之外，如果在此过程中断电，还存在丢失数据的风险（不太可能，但确实会发生）。
虽然我们不知道（并且可能不会）内部磨损均衡在商业 eMMC 或 SD 存储器中的具体工作原理，但我们可以研究它是如何在软件中实现的，对于使用非托管 NAND 的设备（常见于工业计算机、一些路由器和类似设备）。
一般来说，简化的算法是：
- 将您的文件和一些周围数据（因为您的文件很小）读取到 RAM
- 修改 RAM 中的数据
- 将修改后的数据写入闪存中的空白位置
- 将旧位置标记为脏位置
如果页面中的每个位置都被标记为脏，则可以安全地擦除它。这是在一个单独的进程中完成的，这个进程恰如其分地称为垃圾收集。